Samsung SSD 990 PRO Series 4TB M.2 PCIe, r7450MB/s, w6900MB/

Ultimátny PROfesionál

Dosiahnite maximálny výkon s rozhraním PCIe 4.0 a zažite ultra stabilný prenos a ukladanie súborov v špičkových rýchlostiach. Pokročilá kontrola teploty interného ovládača prináša nevšednú efektivitu pri zachovaní vysokých rýchlostí čítania i zápisu pre maximálny pôžitok z vašej práce aj gamingu.



Využite rozhranie PCIe 4.0 na maximum

990 PRO prináša rýchlosti, ktoré budete milovať. V porovnaní 980 PRO dosahuje 40 % nárast v sekvenčnom čítaní a 55 % v sekvenčnom zápise. Výsledkom toho sú vysoké hodnoty 1550K a 1400K IOPS či 7450 a 6900 MB/s v rámci sekvenčného čítania a zápisu, čo sa blíži maximálnym teoretickým rýchlostiam samotného rozhrania PCIe 4.0. Obľúbené herné tituly, výsledky dátovej analýzy, editované videá aj 3D modely tak budú načítané skôr, než poviete SSD.



Prelomová energetická efektivita

Spoľahnite sa na vyšší výkon pri nižšej spotrebe. Vylepšený dizajn a z neho vyplývajúca o 50 % vyššia efektivita na jednotku výkonu pri porovnaní s 980 PRO značí, že disk dokáže naplno využiť potenciál rozhrania PCIe 4.0 bez toho, aby ste museli riešiť vysoký príkon a z toho vyplývajúce rýchlo rastúce teploty alebo účty za elektrickú energiu.



Šikovný systém odvodu tepla

Model 990 PRO je vybavený najmodernejším algoritmom tepelnej kontroly spoločnosti Samsung, ktorý spoľahlivo riadi teplotný stav čipu NAND a rozdeľovač tepla udržuje čip v chlade, zatiaľ čo funkcia Dynamic Thermal Guard automaticky sleduje teplotu disku a v reálnom čase optimalizuje jeho rýchlosť pre čo najlepší výkon a výsledky chladenia.



Parametre a špecifikácie:

Kapacita: 2 TB

Typ disku: M.2 2280

Rozhranie: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Controller: Samsung in-house Controller

NAND Flash: Samsung V-NAND 3-bit MLC

Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM



Sekvenčná rýchlosť:

        o Čítanie (Max): 7450 MB/s

        o Zápis (Max): 6900 MB/s



Maximálny počet náhodných I/O operácii čítania a zápisu za
sekundu:

        o Čítanie: 1 400 000 IOPS (4KB, QD32)

        o Čítanie: 22 000 IOPS (4KB, QD1)

        o Zápis: 1 550 000 IOPS (4KB, QD32)

        o Zápis: 80 000 IOPS (4KB, QD1)



Spotreba:

        Priemerná spotreba: 5.5 W

        Nečinný: 55mW



Shock: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)

MTBF: 1 500 000 hodin

Prevádzková teploty: 0°C to 70°C



Ostatné:

        - TRIM

        - S.M.A.R.T

        - Auto Garbage Collection Algorithm

        - AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)



Rozmery: 80 x 24.3 x 8.2 mm (s chladičom)

Hmotnosť: 28 g



Záruka: 5 rokov alebo (1200 TBW)






Stránky o produkte:
https://www.samsung.com/cz/memory-storage/nvme-ssd/nvme-pcie-gen-4-2tb-mz-v9p2t0cw/